Memory C.P.C

Memory C.P.C Sample Specification

制作能力

最多针数

●可制作3000 针以上

Pad Pitch

●30 μm(In-Line)

●10 μm/20 μm(Staggered)

Small Pad

●可制作20×40 μm 以下

多DUTs 及多层构造

●可制作 2×1，2×2，2×3及2×4

Multi Rows

●可制作4 Rows及16层

测试频率

●可至 1 GHz

测试温度

●-40℃~150℃